|
|
Detalles técnicos
|
|
Fabricante
|
Samsung
|
|
|
Otras características
|
|
Organización de los chips
|
2Rx8
|
|
|
Características
|
|
Memoria interna
|
32 GB
|
|
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
|
1 x 32 GB
|
|
ECC
|
Si
|
|
Latencia CAS
|
22
|
|
Velocidad de memoria del reloj
|
4800 MHz
|
|
Tipo de memoria con búfer
|
Unregistered (unbuffered)
|
|
Tipo de memoria interna
|
DRAM
|
|
Voltaje de memoria
|
1.1 V
|
|
Forma de factor de memoria
|
288-pin DIMM
|
|
Componente para
|
PC/servidor
|